R6009ENJTL 与 STB11NM60T4 区别
| 型号 | R6009ENJTL | STB11NM60T4 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6009ENJTL-1 | A3t-STB11NM60T4 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 40W(Tc) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A(Tc) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 430pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 535mΩ@2.8A,10V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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R6009ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥12.9267
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 7,000 | 对比 | ||||||||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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