R6009KNJTL 与 STB11NM60T4 区别
| 型号 | R6009KNJTL | STB11NM60T4 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6009KNJTL | A36-STB11NM60T4 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 94W(Tc) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A(Tc) | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 25V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 535mΩ@2.8A,10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 90 | 1,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 94W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥7.4264
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90 | 当前型号 | ||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.5
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1,000 | 对比 | ||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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