R6014YND3TL1 与 IPD60R280P7 区别
| 型号 | R6014YND3TL1 | IPD60R280P7 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6014YND3TL1-1 | A-IPD60R280P7 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 600V 14A, TO-252, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||||||
| RthJA max | - | 62.0K/W | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 3V,4V | ||||||||||||||
| Special Features | - | price/performance | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| Qgd | - | 5.0 nC | ||||||||||||||
| Pin Count | - | 3.0Pins | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK (TO-252) | ||||||||||||||
| Mounting | - | SMT | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||||||||||||
| RthJC max | - | 2.36 K/W | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| QG (typ @10V) | - | 18.0 nC | ||||||||||||||
| Ptot max | - | 53.0W | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 280mΩ | ||||||||||||||
| Budgetary Price €/1k | - | 0.63 | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,495 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥14.4503
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2,495 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 117,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD18N60M6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-PAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IPD60R280P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 12A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 3V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD18N60M6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-PAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IPD60R280P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 12A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 3V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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