R6018VNXC7G 与 IPAN60R210PFD7S 区别
| 型号 | R6018VNXC7G | IPAN60R210PFD7S | ||||
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| 唯样编号 | A33-R6018VNXC7G | A-IPAN60R210PFD7S | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 240uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 4.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W (Tc) 类型：N沟道 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220FM | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 10A | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.17Ω@15V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 61W | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 29 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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29 | 当前型号 | ||||||
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IPAN60R210PFD7S | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STF26N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STF24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STF24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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