R6020ENZ4C13 与 R6020ENZ1C9 区别
| 型号 | R6020ENZ4C13 | R6020ENZ1C9 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6020ENZ4C13 | A-R6020ENZ1C9 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 196mΩ@9.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 231W(Tc) | 120W(Tc) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 196mOhms@9.5A,10V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 4V@1mA | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247-3 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 20A(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | 60nC@10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1400pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 30 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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R6020ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20A(Tc) N-Channel 4V@1mA 231W(Tc) 150°C(TJ) 600V TO-247 |
￥54.2939
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30 | 当前型号 | ||||||||||
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R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 120 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥14.8911
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23 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥18.9692
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0 | 对比 |
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