R6020KNJTL 与 AOB27S60L 区别
| 型号 | R6020KNJTL | AOB27S60L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6020KNJTL | A-AOB27S60L |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 2.3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@9.5A,10V | 160mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 8.8 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V |
| Td(on)(ns) | - | 31 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 27A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1294 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1550pF @ 25V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 440 |
| Td(off)(ns) | - | 99 |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 231W(Tc) | 357W |
| Qrr(nC) | - | 7500 |
| VGS(th) | - | 4 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 80 |
| Qg*(nC) | - | 26* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 19 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6020KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 19 | 当前型号 |
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STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 47,000 | 对比 |
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STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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