R6024ENZ4C13 与 R6024ENZ1C9 区别
| 型号 | R6024ENZ4C13 | R6024ENZ1C9 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6024ENZ4C13 | A33-R6024ENZ1C9 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 600V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 165mΩ@11.3A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 120W(Tc) | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 24A(Tc) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1650pF @ 25V | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 70nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 120 | 30 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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R6024ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
￥60.4075
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120 | 当前型号 | ||||||||||||||
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R6024ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥17.3059
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30 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
