R6024ENZC17 与 R6024ENZC8 区别
| 型号 | R6024ENZC17 | R6024ENZC8 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6024ENZC17 | A33-R6024ENZC8 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 120W(Tc) | - | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 165mΩ@11.3A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 120W(Tc) | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1650pF @ 25V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-3PF | TO-3P-3 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 24A(Tc) | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 165 毫欧 @ 11.3A,10V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 24A(Tc) | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1650pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 70nC @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 70nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 20 | 30 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||
| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6024ENZC17 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-3PF |
￥73.43
|
20 | 当前型号 | ||||||||
|
R6024ENZC8 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3 |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||
|
|
R6024ENZC8 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3 |
￥15.3606
|
30 | 对比 | ||||||||
|
|
R6024ENZC8 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3 |
￥54.0234
|
10 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
