R6030MNX 与 STF26NM60N 区别
| 型号 | R6030MNX | STF26NM60N | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6030MNX | A3-STF26NM60N | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ@15A,10V | 165mΩ@10A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 90W(Tc) | 35W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±30V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 30A(Tc) | 20A | ||
| 系列 | - | MDmesh™ II | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1800pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 60nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2180pF @ 25V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 5 | 3,000 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 5 - 7天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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R6030MNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc) |
¥47.73
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5 | 当前型号 | ||||
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STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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AOTF20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO220F 50W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOTF27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 27A 50W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STF26N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 |