R8002ANJGTL 与 R8002ANJFRGTL 区别
| 型号 | R8002ANJGTL | R8002ANJFRGTL | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R8002ANJGTL-1 | A-R8002ANJFRGTL | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-263S-3 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.3Ω | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 62W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 13 nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 950 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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R8002ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
¥14.182
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950 | 当前型号 | |||||||||||||
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R8002ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 2A 4.3Ω 30V 62W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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R8002ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 2A 4.3Ω 30V 62W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |