R8008ANJGTL 与 R8008ANJFRGTL 区别
| 型号 | R8008ANJGTL | R8008ANJFRGTL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R8008ANJGTL | A3x-R8008ANJFRGTL | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-263S-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.03Ω | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 195W | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 38 nC | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 100 | 4,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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R8008ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥40.1695
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100 | 当前型号 | |||||||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9936
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4,000 | 对比 | ||||||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9936
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0 | 对比 |
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