RE1L002SNTL 与 RSE002N06TL 区别
| 型号 | RE1L002SNTL | RSE002N06TL | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RE1L002SNTL-4 | A33-RSE002N06TL-0 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4Ω@250mA,10V | 1.7Ω | ||||||||
| 上升时间 | - | 5ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150W(Tc) | 150mW | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 18ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 0.25S | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.25A | 250mA | ||||||||
| 系列 | - | RSE002N06 | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 1mA | 2.3V @ 1mA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 15pF @ 25V | 15pF @ 25V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 2.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 28ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.5ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 19 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RE1L002SNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) 2.4Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) EMTF N-Channel 60V 0.25A |
￥1.1787
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSE002N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel |
￥1.8878
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1,085 | 对比 | ||||||||||||
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RSE002N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
150°C(TJ) EMT 250mA 150mW 1.7Ω 60V 20V N-Channel |
暂无价格 | 19 | 对比 |
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