RF4E070GNTR 与 BUK6D72-30EX 区别
| 型号 | RF4E070GNTR | BUK6D72-30EX | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RF4E070GNTR | A-BUK6D72-30EX | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | 30V, 7A, 21.4 MOHM, PQFN 2X2 | MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.4mΩ@7A,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 15W | ||||||||||
| 输出电容 | - | 30pF | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.5V,20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HUML | SOT1220 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 175°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 11A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 15V | - | ||||||||||
| 输入电容 | - | 100pF | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.8nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,040 | 80 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
￥2.7215
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2,040 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 3,001 | 对比 | ||||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||||
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PMPB100ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PMPB15ENE | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
DFN2020MD‑6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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