RF4G060ATTCR 与 74LVCH2T45GT,115 区别
| 型号 | RF4G060ATTCR | 74LVCH2T45GT,115 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RF4G060ATTCR-1 | A-74LVCH2T45GT,115 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 变换器/转换器 | ||||||||||||||
| 描述 | PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS | IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | - | ||||||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||||||
| 工作热阻 | - | 144,307 | ||||||||||||||
| 电源电压 | - | 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V | ||||||||||||||
| 传播延迟时间 | - | 2.5ns | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 880 pF @ 20 V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 6-PowerUDFN | SOT833 | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17.2 nC @ 10 V | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -40°C~125°C | ||||||||||||||
| 输出电流 | - | ± 24mA | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 6A,10V | - | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 6A(Ta) | - | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 通道数 | - | 2 | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 40 V | - | ||||||||||||||
| 逻辑切换水平 | - | CMOS/LVTTL | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 6,000 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RF4G060ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ) |
¥3.306
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6,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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BUK6D43-40PX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 43mΩ@6A,10V 15W -55°C~175°C ±20V -40V 6A 车规 |
暂无价格 | 372 | 对比 |