RND030N20TL 与 ZXMN20B28KTC 区别
| 型号 | RND030N20TL | ZXMN20B28KTC | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RND030N20TL | A-ZXMN20B28KTC | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 200 V 750 mO 8.1 nC Surface Mount Mosfet - TO-252 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | 850mW(Ta),20W(Tc) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 870 毫欧 @ 1.5A,10V | 750mΩ@2.75A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.2W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK | ||
| 连续漏极电流Id | 3A(Tc) | 2.3A | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 358pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.1nC @ 5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.2V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.7nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 87 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RND030N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥1.9932
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87 | 当前型号 | |||||
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STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 20,000 | 对比 | ||||
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STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOD450 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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