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RQ3C150BCTB  与  DMP2008UFG-7  区别

型号 RQ3C150BCTB DMP2008UFG-7
唯样编号 A33-RQ3C150BCTB-0 A36-DMP2008UFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 20W(Tc) -
漏源极电压Vds 20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 30A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA -
导通电阻Rds(On) 6.7mΩ@15A,4.5V -
库存与单价
库存 2,388 652
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥5.5003
50+ :  ¥4.5709
100+ :  ¥3.9672
300+ :  ¥3.5743
500+ :  ¥3.4976
1,000+ :  ¥3.4305
30+ :  ¥2.145
100+ :  ¥1.65
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN

¥5.5003 

阶梯数 价格
30: ¥5.5003
50: ¥4.5709
100: ¥3.9672
300: ¥3.5743
500: ¥3.4976
1,000: ¥3.4305
2,388 当前型号
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 2,000 对比
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±10V 2.3W(Ta) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 20V 18A

暂无价格 2,000 对比
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.145 

阶梯数 价格
30: ¥2.145
100: ¥1.65
652 对比
FDMC510P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3)

¥3.465 

阶梯数 价格
20: ¥3.465
48 对比
FDMC510P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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