RQ3E075ATTB 与 AON7403 区别
| 型号 | RQ3E075ATTB | AON7403 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3E075ATTB-0 | A-AON7403 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 155 | ||||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 36mΩ | ||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3.3 | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 25V | ||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 8.7 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT | DFN 3x3 EP | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.5A | -29A | ||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1130 | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 23mΩ@7.5A,10V | 18mΩ@10V | ||||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||||
| Trr(ns) | - | 12 | ||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 18 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 15W(Tc) | 25W | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 26 | ||||||||||||
| VGS(th) | - | -3 | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 930pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.4nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| Coss(pF) | - | 240 | ||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 18* | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,946 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 15W(Tc) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) HSMT P-Channel 30V 7.5A |
￥5.3758
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1,946 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON7403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -29A 25W 18mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AONS21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V ±25V -24A 24.5W 16.5mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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