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RQ3E100GNTB  与  AON7430  区别

型号 RQ3E100GNTB AON7430
唯样编号 A33-RQ3E100GNTB-1 A36-AON7430
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 12mΩ@20A,10V
上升时间 4.3ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 23W
Qg-栅极电荷 7.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 22.4ns -
正向跨导 - 最小值 8S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 10A 34A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 8.4ns -
库存与单价
库存 3,000 3,725
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥2.3477
100+ :  ¥1.7824
300+ :  ¥1.3991
500+ :  ¥1.3224
1,000+ :  ¥1.2649
40+ :  ¥1.276
100+ :  ¥0.9856
1,250+ :  ¥0.8217
2,500+ :  ¥0.7469
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.3477 

阶梯数 价格
70: ¥2.3477
100: ¥1.7824
300: ¥1.3991
500: ¥1.3224
1,000: ¥1.2649
3,000 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

¥0.6611 

阶梯数 价格
80: ¥0.6611
2,000: ¥0.6094
6,982 对比
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9856
1,250: ¥0.8217
2,500: ¥0.7469
3,725 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7430L AOS 功率MOSFET

9A (Ta),20A (Tc) N-Channel ±20V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),25W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比

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