RQ3E120ATTB 与 AON6413 区别
| 型号 | RQ3E120ATTB | AON6413 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3E120ATTB-0 | A-AON6413 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 363 | ||||||||||||||
| 宽度 | 2.4mm | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ@-12A,-10V | 8.5mΩ@10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 30ns | - | ||||||||||||||
| ESD Diode | - | Yes | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 17mΩ | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 62nC | - | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 6 | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 25V | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 13 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT | DFN 5x6 | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | -32A | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 2142 | ||||||||||||||
| 长度 | 3mm | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 下降时间 | 95ns | - | ||||||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||||||
| 高度 | 0.85mm | - | ||||||||||||||
| Trr(ns) | - | 17.5 | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 34 | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 39V | -30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 48W | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 44.5 | ||||||||||||||
| VGS(th) | - | -2.7 | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 140ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||
| 系列 | RQ | - | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3200pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 62nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||||||||||||||
| Coss(pF) | - | 474 | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 18.5 | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 23,995 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥6.3244
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23,995 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AON7405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3.3x3.3 EP P-Channel -30V ±25V -50A 83W 6.2mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AON7409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -32A 96W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AON6413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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