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RQ3E150BNTB  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 RQ3E150BNTB IRFH5304TRPBF
唯样编号 A33-RQ3E150BNTB A-IRFH5304TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V 4.5mΩ@47A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3.6W(Ta),46W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 22A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V 2360pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V 41nC @ 10V
库存与单价
库存 2,810 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.6345
50+ :  ¥3.6989
100+ :  ¥3.0568
300+ :  ¥2.6352
500+ :  ¥2.549
1,000+ :  ¥2.4819
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥5.6345 

阶梯数 价格
30: ¥5.6345
50: ¥3.6989
100: ¥3.0568
300: ¥2.6352
500: ¥2.549
1,000: ¥2.4819
2,810 当前型号
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.8864 

阶梯数 价格
5,000: ¥1.8864
0 对比
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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