RQ3G110ATTB 与 NVTFS052P04M8LTAG 区别
| 型号 | RQ3G110ATTB | NVTFS052P04M8LTAG | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3G110ATTB | A-NVTFS052P04M8LTAG | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.4mΩ@11A,10V | - | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40 V | - | ||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | - | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2750 pF @ 20 V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A(Ta),35A(Tc) | - | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 46 nC @ 10 V | - | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 996 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A(Ta),35A(Tc) P-Channel ±20V 12.4mΩ@11A,10V 2W(Ta) 150°C(TJ) 40 V 8-PowerVDFN |
￥8.2984
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996 | 当前型号 | ||||||||||||
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NVTFS052P04M8LTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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