RQ3L050GNTB 与 DMN6069SFG-7 区别
| 型号 | RQ3L050GNTB | DMN6069SFG-7 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3L050GNTB-1 | A3-DMN6069SFG-7 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 61mΩ@5A,10V | 63mΩ | ||||||||||||
| 上升时间 | - | 5ns | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 14.8W(Tc) | 930mW | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 14nC | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 12ns | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-PowerWDFN | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | 18A | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 系列 | - | DMN6069 | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1480pF @ 30V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 下降时间 | - | 3.3ns | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.6ns | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 30V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥5.5291
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
￥1.452
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
￥1.0996
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813 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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