RQ3L090GNTB 与 AON7246 区别
| 型号 | RQ3L090GNTB | AON7246 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3L090GNTB-0 | A-AON7246 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | - | ||||||||||||
| 功率 | - | 3.1W(Ta),34.7W(Tc) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 13.9mOhm@9A,10V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.7V@300uA | ±20V | ||||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-DFN(3x3) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A(Ta),30A(Tc) | 10A(Ta),34.5A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 24.5nC@10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1610pF @ 30V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 15 毫欧 @ 10A,10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,118 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3L090GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
9A(Ta),30A(Tc) N-Channel 2.7V@300uA 2W(Ta) 8-PowerVDFN 150°C(TJ) 60V |
￥7.091
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1,118 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON7246 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 10A(Ta),34.5A(Tc) ±20V 15 毫欧 @ 10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-DFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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