RQ5E035ATTCL 与 SI2371EDS-T1-GE3 区别
| 型号 | RQ5E035ATTCL | SI2371EDS-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RQ5E035ATTCL-1 | A3-SI2371EDS-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 30 V 0.045 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@3.5A,10V | 45mΩ | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 1W(Ta),1.7W(Tc) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SC-96 | SOT-23-3 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.5A(Ta) | 4.8A | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 2.5V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 475pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,072 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ5E035ATTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96 |
￥3.4114
|
1,072 | 当前型号 | ||||||||||||
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ |
暂无价格 | 16 | 对比 | ||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ |
暂无价格 | 7 | 对比 | ||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
