RQ5E035BNTCL 与 DMN3070SSN-7 区别
| 型号 | RQ5E035BNTCL | DMN3070SSN-7 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ5E035BNTCL-2 | A36-DMN3070SSN-7 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 780mW(Ta) | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SC-96 | SC-59 | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.5A | 4.2A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.1V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 697pF @ 15V | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13.2nC @ 10V | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 37mΩ@3.5A,10V | 40mΩ@4.2A,10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 8,000 | 4,415 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ5E035BNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3.5A ±20V 1W 37mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C SC-96 |
￥1.9836
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8,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
￥0.578
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4,415 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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