RRH100P03GZETB 与 RRH100P03TB1 区别
| 型号 | RRH100P03GZETB | RRH100P03TB1 | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RRH100P03GZETB | A32-RRH100P03TB1-1 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP | |||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 650mW(Ta) | - | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 650mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3600pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOP | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | - | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 12.6 毫欧 @ 10A,10V | ||||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 10A(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3600pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 12.6mΩ@10A,10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 39nC @ 5V | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥8.2888
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2,050 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥6.7697
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
￥1.548
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2,449 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF9328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF9388TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@12A,20V P-Channel 30V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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