RS1G260MNTB 与 DMTH4004SPSQ-13 区别
| 型号 | RS1G260MNTB | DMTH4004SPSQ-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS1G260MNTB | A-DMTH4004SPSQ-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | - | 3.6W(Ta), 167W(Tc) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3mΩ@26A,10V | 2.7 毫欧 @ 90A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),35W(Tc) | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 26A(Ta) | 31A(Ta),100A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2988pF @ 20V | 4305pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 44nC @ 10V | 68.6nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,485 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS1G260MNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 26A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 3.3mΩ@26A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥8.2122
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1,485 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 31A(Ta),100A(Tc) ±20V 2.7 毫欧 @ 90A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 31A(Ta),100A(Tc) ±20V 2.7 毫欧 @ 90A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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