RS3E075ATTB 与 IRF7416TRPBF 区别
| 型号 | RS3E075ATTB | IRF7416TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS3E075ATTB | A-IRF7416TRPBF | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23.5mΩ@7.5A,10V | 20mΩ@5.6A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | - | 10A | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 92nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1250pF @ 15V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 30 | 4,000 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V ±20V 2W(Ta) 23.5mΩ@7.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.2704
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30 | 当前型号 | ||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||
|
AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
|
0 | 对比 | ||||
|
IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7416PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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