RS3E095BNGZETB 与 DMN4800LSSL-13 区别
| 型号 | RS3E095BNGZETB | DMN4800LSSL-13 | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS3E095BNGZETB-0 | A36-DMN4800LSSL-13 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.5A,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | 1.46W(Ta) | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ@8A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 798 pF @ 10 V | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.7 nC @ 5 V | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 8A(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 4,389 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.3984
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8A(Ta) |
￥1.32
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4,389 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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