RS6G120BGTB1 与 SI4124DY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G120BGTB1 | SI4124DY-T1-GE3 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6G120BGTB1-0 | A3-SI4124DY-T1-GE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SO-8 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 1.34mΩ@90A,10V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,474 | 2,500 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥15.514
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1,474 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||||||||||||
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NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
￥2.585
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15,444 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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NTMFS5C442NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥2.1692
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1,500 | 对比 |
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