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RS6L120BGTB1  与  NVMFS5C682NLAFT1G  区别

型号 RS6L120BGTB1 NVMFS5C682NLAFT1G
唯样编号 A33-RS6L120BGTB1 A36-NVMFS5C682NLAFT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
功率耗散Pd 104W -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
导通电阻Rds(On) 2.7mΩ@90A,10V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 661 577
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥15.5714
50+ :  ¥10.7994
100+ :  ¥10.1957
300+ :  ¥9.8028
500+ :  ¥9.7262
20+ :  ¥3.212
100+ :  ¥2.464
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥15.5714 

阶梯数 价格
10: ¥15.5714
50: ¥10.7994
100: ¥10.1957
300: ¥9.8028
500: ¥9.7262
661 当前型号
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel

暂无价格 4,500 对比
NVMFS5C682NLAFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

¥3.212 

阶梯数 价格
20: ¥3.212
100: ¥2.464
577 对比
SI4850EY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V

¥4.466 

阶梯数 价格
20: ¥4.466
100: ¥3.718
299 对比
SIJ462ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205

暂无价格 100 对比
SI4850BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V

暂无价格 40 对比

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