RS6P100BHTB1 与 SIR606BDP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | SIR606BDP-T1-RE3 | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6P100BHTB1 | A36-SIR606BDP-T1-RE3 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAKSO-8 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | - | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | - | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.9mΩ@90A,10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,960 | 2,990 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥15.8589
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1,960 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.64
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6,349 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
￥6.666
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2,990 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4100DY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.8A(Tc) N-Channel 63 mOhms @ 4.4A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥5.291
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2,300 | 对比 |
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