RSD050N06TL 与 AOD444 区别
| 型号 | RSD050N06TL | AOD444 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RSD050N06TL-0 | A36-AOD444-1 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 27 | ||
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@12A,10V | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 85mΩ | ||
| Qgd(nC) | - | 1.9 | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| Td(on)(ns) | - | 4.2 | ||
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252 | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||
| Ciss(pF) | - | 450 | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - | ||
| Trr(ns) | - | 27 | ||
| Td(off)(ns) | - | 16 | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W | ||
| Qrr(nC) | - | 30 | ||
| VGS(th) | - | 3 | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | - | ||
| Coss(pF) | - | 61 | ||
| Qg*(nC) | - | 3.8 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 15 | 61 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 15 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
¥1.705
|
9,864 | 对比 | ||||||||||
|
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.12W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 5.36A(Ta) |
¥1.9168
|
4,559 | 对比 | ||||||||||
|
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥1.683
|
4,028 | 对比 | ||||||||||
|
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥1.0996
|
61 | 对比 | ||||||||||
|
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 29 | 对比 |