首页 > 商品目录 > > > > RSH070P05TB1代替型号比较

RSH070P05TB1  与  RSS070P05HZGTB  区别

型号 RSH070P05TB1 RSS070P05HZGTB
唯样编号 A33-RSH070P05TB1-2 A36-RSS070P05HZGTB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP SOP-8,VDSS=-45V,RDS(ON)=27mΩ,ID=±7.0A,PD=2W
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 2W
功率耗散(最大值) 2W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 45V
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOP SOP-8
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 7A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 45V -
导通电阻Rds(On) - 27mΩ@7A,10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.6nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,184 2,500
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥10.3299
50+ :  ¥7.5318
100+ :  ¥6.9281
300+ :  ¥6.5352
500+ :  ¥6.449
1,000+ :  ¥6.3915
2,000+ :  ¥6.3628
20+ :  ¥4.667
100+ :  ¥3.887
1,250+ :  ¥3.536
2,500+ :  ¥3.38
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) P 通道 8-SOP

¥10.3299 

阶梯数 价格
20: ¥10.3299
50: ¥7.5318
100: ¥6.9281
300: ¥6.5352
500: ¥6.449
1,000: ¥6.3915
2,000: ¥6.3628
2,184 当前型号
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规

¥25.4397 

阶梯数 价格
10: ¥25.4397
100: ¥15.0358
500: ¥13.4681
1,000: ¥12.1854
2,500: ¥10.1901
2,500 对比
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规

¥4.667 

阶梯数 价格
20: ¥4.667
100: ¥3.887
1,250: ¥3.536
2,500: ¥3.38
2,500 对比
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规

暂无价格 3 对比
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规

暂无价格 0 对比
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规

¥3.3002 

阶梯数 价格
2,500: ¥3.3002
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售