RSQ020N03TR 与 DMN3033LDM-7 区别
| 型号 | RSQ020N03TR | DMN3033LDM-7 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSQ020N03TR | A36-DMN3033LDM-7 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 134mΩ@2A,10V | 33mΩ@6.9A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 600mW(Ta) | 2W(Ta) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | SOT-26 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | 6.9A | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.1V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 755pF @ 10V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 13nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 110pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.1nC @ 5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,275 | 8,229 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
¥1.0829
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2,275 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
¥0.5517
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8,229 | 对比 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
¥1.0604
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
¥0.9322
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5,986 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.4A(Ta) |
¥1.4493
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5,980 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.7A(Ta) |
¥1.3184
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5,007 | 对比 |