RUR020N02TL 与 NDS331N 区别
| 型号 | RUR020N02TL | NDS331N | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RUR020N02TL-1 | A32-NDS331N-1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@2A,4.5V | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | 500mW(Ta) | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±8V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2A | 1.3A(Ta) | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | 1V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 180pF @ 10V | 162pF @ 10V | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 4.5V | 5nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 162pF @ 10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 5,314 | 15,000 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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5,314 | 当前型号 | ||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 625mW(Ta) 180mΩ@930mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 1.7A |
￥1.375
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26,052 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1.4A(Ta) ±20V 625mW(Ta) 220mΩ@910mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V |
￥1.0032
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26,051 | 对比 | ||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.52
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A |
￥1.1597
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10,289 | 对比 |
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