RV5A040APTCR1 与 RW1A030APT2CR 区别
| 型号 | RV5A040APTCR1 | RW1A030APT2CR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RV5A040APTCR1 | A-RW1A030APT2CR |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6 | MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 700mW(Ta) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2000 pF @ 6 V | 2700pF @ 6V |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 封装/外壳 | 6-PowerWFDFN | 6-WEMT |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16 nC @ 4.5 V | - |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 62 毫欧 @ 4A,4.5V | 42 毫欧 @ 3A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | -8V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4A(Ta) | 3A(Ta) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.5V,4.5V | 1.5V,4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 12 V | 12V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 22nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RV5A040APTCR1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 6-PowerWFDFN 150°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
.jpg)
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RW1A025APT2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Ta) -8V 400mW(Ta) 62mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) P-Channel 12V 2.5A SOT-563,SOT-666 |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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RW1C025ZPT2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 6-WEMT |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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RW1A025APT2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Ta) -8V 400mW(Ta) 62mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) P-Channel 12V 2.5A SOT-563,SOT-666 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RW1A030APT2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 6-WEMT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RW1C025ZPT2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 6-WEMT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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