RXH100N03TB1 与 SI4172DY-T1-GE3 区别
| 型号 | RXH100N03TB1 | SI4172DY-T1-GE3 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RXH100N03TB1-1 | A3t-SI4172DY-T1-GE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | 8-SOIC | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 15A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12 mOhms @ 11A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥4.2355
|
2,500 | 当前型号 | |||||||||||||||
|
SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
