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SCT3120ALGC11  与  STW26N60M2  区别

型号 SCT3120ALGC11 STW26N60M2
唯样编号 A33-SCT3120ALGC11 A-STW26N60M2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 156mΩ@6.7A,18V -
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 103W(Tc) -
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 21A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.33mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
库存与单价
库存 60 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
2+ :  ¥100.7398
5+ :  ¥53.489
10+ :  ¥47.0592
30+ :  ¥42.7663
50+ :  ¥41.9039
60+ :  ¥41.6931
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 650V 21A(Tc) +22V,-4V 103W(Tc) 156mΩ@6.7A,18V 175°C(TJ) TO-247-3

¥100.7398 

阶梯数 价格
2: ¥100.7398
5: ¥53.489
10: ¥47.0592
30: ¥42.7663
50: ¥41.9039
60: ¥41.6931
60 当前型号
FCH170N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22A(Tc) ±20V 227W(Tc) 170m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 22A

暂无价格 0 对比
AOK27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

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