SH8J31GZETB 与 ZXMP6A18DN8TA 区别
| 型号 | SH8J31GZETB | ZXMP6A18DN8TA | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8J31GZETB | A36-ZXMP6A18DN8TA | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.8W | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 55mΩ@3.5A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1580pF @ 30V | ||||||||||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | 2P-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 44nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SO | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 3.7A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 70mΩ@4.5A,10V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2500pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 874 | 1,191 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SH8J31GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2P-Channel 60V 4.5A 70mΩ@4.5A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SOP |
￥9.1896
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874 | 当前型号 | ||||||||||||
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ZXMP6A18DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2P-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 3.7A |
￥4.5
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1,191 | 对比 |
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