SH8K32TB1 与 DMN6066SSD-13 区别
| 型号 | SH8K32TB1 | DMN6066SSD-13 | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8K32TB1-0 | A36-DMN6066SSD-13 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@4.5A,10V | 66mΩ@4.5A,10V | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.8W | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4.4A | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,090 | 4,294 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
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