| 型号 | SH8KA4TB | AO4822A | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8KA4TB | A36-AO4822A | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOP | SO-8 | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 8A | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.4mΩ@9A,10V | 19mΩ@8A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | 2W | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.5nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,452 | 1,822 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,452 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
￥1.1688
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4,740 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4924 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 12V 9A 2W 15.8mΩ@10V |
￥2
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.452
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1,915 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.112
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1,822 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.8A |
￥1.738
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1,335 | 对比 |
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