SH8M41TB1 与 SI4590DY-T1-GE3 区别
| 型号 | SH8M41TB1 | SI4590DY-T1-GE3 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8M41TB1 | A-SI4590DY-T1-GE3 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 | Si4590DY Series 100 V 5.6 A 0.057 Ohm SMT N & P-Channel MOSFET - SO-8 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 57 mOhms @ 2A,10V | ||||||||||||||
| 功率-最大值 | 2W | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.4W,3.4W | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 600pF @ 10V | - | ||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SOIC | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.4A,2.8A | ||||||||||||||
| FET功能 | 逻辑电平门 | - | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 3.4A,10V | - | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 3.4A,2.6A | - | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 80V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 9.2nC @ 5V | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,710 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SH8M41TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP |
￥7.9918
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1,710 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SI4590DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A,2.8A N+P-Channel 57 mOhms @ 2A,10V 2.4W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥3.2171
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4590DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A,2.8A N+P-Channel 57 mOhms @ 2A,10V 2.4W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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