SP8K32HZGTB 与 SP8K32FRATB 区别
| 型号 | SP8K32HZGTB | SP8K32FRATB | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SP8K32HZGTB-1 | A-SP8K32FRATB | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | 2W(Ta) | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 46mΩ | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 18ns | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7nC | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 500pF @ 10V | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 40ns | ||||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | SOP-8 | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 5V | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 4.5A,10V | - | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4.5A(Ta) | - | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 13ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 12ns | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SP8K32HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 150°C(TJ) 车规 |
￥11.5948
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SP8K32FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4.5A 2W 46mΩ 60V 1V SOP-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SP8K32FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4.5A 2W 46mΩ 60V 1V SOP-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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