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SUD50P06-15-GE3  与  TJ50S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SUD50P06-15-GE3 TJ50S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A33-SUD50P06-15-GE3 A-TJ50S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.015 Ohm Surface Mount Power MosFet - TO-252-3 MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@17A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 113W 90W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13.8 毫欧 @ 25A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6290 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 124 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252AA DPAK+
工作温度 -55°C~150°C 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 50A(Ta)
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 1,988 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥43.4371
10+ :  ¥23.9465
30+ :  ¥19.6631
50+ :  ¥18.8007
100+ :  ¥18.1587
300+ :  ¥17.7275
500+ :  ¥17.6412
1,000+ :  ¥17.5838
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50P06-15-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA P-Channel 15mΩ@17A,10V 113W -55°C~150°C ±20V 60V 50A

¥43.4371 

阶梯数 价格
4: ¥43.4371
10: ¥23.9465
30: ¥19.6631
50: ¥18.8007
100: ¥18.1587
300: ¥17.7275
500: ¥17.6412
1,000: ¥17.5838
1,988 当前型号
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

¥11.7768 

阶梯数 价格
20: ¥11.7768
50: ¥6.6311
100: ¥5.989
300: ¥5.5578
500: ¥5.4716
1,000: ¥5.4045
1,754 对比
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥12.5913 

阶梯数 价格
20: ¥12.5913
42 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

暂无价格 0 对比

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