首页 > 商品目录 > > > TK28N65W,S1F代替型号比较

TK28N65W,S1F  与  SPW35N60C3FKSA1  区别

型号 TK28N65W,S1F SPW35N60C3FKSA1
唯样编号 A33-TK28N65W,S1F-99dk A-SPW35N60C3FKSA1
制造商 Toshiba Semic Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 通孔 N 通道 650 V 27.6A(Ta) 230W(Tc) TO-247 MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 313W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4500pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1.9mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 100 毫欧 @ 21.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 34.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage  数据手册 未分类

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥75.816 

阶梯数 价格
1: ¥75.816
100: ¥43.8217
450: ¥27.7829
450 对比
R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 450 对比
STW34NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW37N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW35N60C3FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW35N60C3_TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售