2DB1188R-13 与 2SB1132T100R 区别
| 型号 | 2DB1188R-13 | 2SB1132T100R | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-2DB1188R-13 | A36-2SB1132T100R | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER PNP SOT-89 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | TO-243AA | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 500mW | ||||||||||
| VCBO | -40V | -40V | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 集电极电流Ic | -2A | -1A | ||||||||||
| 特征频率fT | 120MHz | 150MHz | ||||||||||
| VEBO | -6V | -5V | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -800mV | -500mV | ||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -32V | -32V | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 180 | 180 | ||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 4,423 | 920 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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2DB1188R-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1W -32V -2A PNP |
￥0.8333
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4,423 | 当前型号 | ||||||||||
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2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 500mW -32V -1A PNP |
￥0.3966
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22,000 | 对比 | ||||||||||
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2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A PNP |
￥0.7527
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4,240 | 对比 | ||||||||||
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2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A PNP |
￥0.6611
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 500mW -32V -1A PNP |
￥0.546
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920 | 对比 | ||||||||||
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2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A PNP |
￥0.6102
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430 | 对比 |
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