2DB1188R-13 与 2SB1132T100R 区别
| 型号 | 2DB1188R-13 | 2SB1132T100R | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-2DB1188R-13 | A3x-2SB1132T100R | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER PNP SOT-89 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | TO-243AA | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 500mW | ||||||||
| VCBO | -40V | -40V | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 特征频率fT | 120MHz | 150MHz | ||||||||
| VEBO | -6V | -5V | ||||||||
| 集电极连续电流 | -2A | -1A | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -800mV | -500mV | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 180 | 180 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -32V | -32V | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,463 | 22,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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2DB1188R-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1W -32V -2A -800mV 180 120MHz PNP |
￥0.3669
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7,463 | 当前型号 | ||||||||
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2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 500mW -32V -1A -500mV 180 150MHz PNP |
￥0.3966
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22,000 | 对比 | ||||||||
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2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A -800mV 120 100MHz PNP |
￥0.6369
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5,000 | 对比 | ||||||||
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2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A -800mV 180 100MHz PNP |
￥0.6409
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609 | 对比 | ||||||||
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2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A -800mV 180 100MHz PNP |
￥0.6102
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430 | 对比 | ||||||||
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2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A -800mV 120 100MHz PNP |
暂无价格 | 423 | 对比 |
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