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2N7002K-T1-GE3  与  2N7002K-7  区别

型号 2N7002K-T1-GE3 2N7002K-7
唯样编号 A36-2N7002K-T1-GE3-1 A3-2N7002K-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 2N7002K Series 60 V 2 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs
上升时间 - 3.4ns
Qg-栅极电荷 0.4nC 0.3nC
栅极电压Vgs 1V 1V
正向跨导 - 最小值 100mS -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 300mA 380mA
配置 Single Single
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,10V
下降时间 - 9.9ns
高度 1.45mm 1mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 0.35W 370mW(Ta)
典型关闭延迟时间 35ns 15.7ns
FET类型 - N-Channel
系列 2N7002K 2N7002
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V 50pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V 0.3nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 25ns 3.9ns
库存与单价
库存 3,465 264,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
180+ :  ¥0.2823
3,000+ :  ¥0.2499
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

¥0.2823 

阶梯数 价格
180: ¥0.2823
3,000: ¥0.2499
3,465 当前型号
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 370mW 7.5Ω@50mA,5V -55°C~150°C ±20V 60V 115mA

暂无价格 4,092,000 对比
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23

¥0.5995 

阶梯数 价格
90: ¥0.5995
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1695
3,000: ¥0.1349
339,803 对比
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

¥0.216 

阶梯数 价格
240: ¥0.216
1,500: ¥0.186
3,000: ¥0.165
292,019 对比
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

暂无价格 264,000 对比
2N7002E-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) SOT-23

暂无价格 210,000 对比

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