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AO3402  与  RTR040N03TL  区别

型号 AO3402 RTR040N03TL
唯样编号 A36-AO3402 A36-RTR040N03TL
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
宽度 - 1.60mm
上升时间 - 18ns
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs ±12V 12V
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT
连续漏极电流Id 4A 4A
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Ciss(pF) 235 -
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 19ns
导通电阻Rds(On) 52mΩ@4A,10V 48mΩ
高度 - 0.85mm
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 17.5 -
功率耗散Pd 1.4W 1W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.5 -
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - RTR040N03
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 475pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 10ns
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 243,526 9,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
60+ :  ¥0.9394
200+ :  ¥0.7238
1,500+ :  ¥0.6292
3,000+ :  ¥0.5852
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
243,526 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
96,816 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.8767 

阶梯数 价格
60: ¥0.8767
200: ¥0.6039
9,863 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

¥0.9394 

阶梯数 价格
60: ¥0.9394
200: ¥0.7238
1,500: ¥0.6292
3,000: ¥0.5852
9,000 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

暂无价格 3,000 对比

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